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IXTH 96N20P IXTQ 96N20P
IXTT 96N20P
160
Fig. 7. Input Adm ittance
80
Fig. 8. Tr ans conductance
140
120
100
80
70
60
50
40
T J = -40oC
25oC
150oC
60
40
20
0
T J = 150oC
25oC
-40oC
30
20
10
0
4.5
5
5.5
6
6.5
7
7.5
8
8.5
9
0
25
50
75
100
125
150
175
200
300
V G S - V olts
Fig. 9. Sour ce Cur r e nt vs .
Source -To-Dr ain V oltage
10
I D - A mperes
Fig. 10. Gate Charge
9
V DS = 100V
250
200
150
100
8
7
6
5
4
3
I D = 48A
I G = 10m A
50
0
T J = 150oC
T J = 25oC
2
1
0
0.4
0.6
0.8 1
V S D - V olts
1.2
1.4
1.6
0
15
30
45
Q
G
60 75 90 105 120 135 150
- nanoCoulombs
10000
Fig. 11. Capacitance
1000
Fig. 12. Forw ar d-Bias
Safe Ope r ating Are a
1000
f = 1MH z
C is s
100
R DS (on) Lim it
T J = 175oC
T C = 25oC
25μs
100μs
1m s
C os s
10
DC
10m s
C rss
100
1
0
5
10
15 20 25
V DS - V olts
30
35
40
10
100
V D S - V olts
1000
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